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高效太阳能多晶电池片回收技术

发布时间:2017/05/14 点击量:
  1高效太阳能多晶电池片能量损失机理
 
  目前研究成果表面,影响高效太阳能多晶电池片转换效率的原因主要来自两个方面:①光学损失.包括高效太阳能多晶电池片前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失,其中反射和阴影损失是可以通过技术措施减小的,而长波非吸收损失与半导体性质有关;②电学损失.它包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的体电阻以及金属-半导体接触(欧姆接触)电阻损失.相对而言,欧姆损失在技术上比较容易降低,其中最关键的是降低光生载流子的复合,它直接影响高效太阳能多晶电池片的开路电压。而提高高效太阳能多晶电池片效率的关键之一就是提高开路电压Voc。光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在前表面引入了大量的复合中心。此外,当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时,背表面的复合速度Sb对高效太阳能多晶电池片特性的影响也很明显。而从商业太阳电池来看,为了降低太阳电池的成本和提高效率,现在生产厂家也在不断地减小硅片的厚度,以降低原材料的价格.因此必须有减少前、背两个表面的光生载流子复合的结构和措施.
 
  2高效太阳能多晶电池片(废电池片回收)技术
 
  2.1背接触高效太阳能多晶电池片IBC/MWT/EWT
 
  (1)IBC高效太阳能多晶电池片(PCC高效太阳能多晶电池片)
 
  背接触电池是由Sunpower公司开发的高效太阳能多晶电池片,其特点是正面无栅状电极,正负极交叉排列在背面,量产效率可达19%~20%。
 
  这种把正面金属栅线去掉的高效太阳能多晶电池片结构有很多优点[2]:(1)减少正面遮光损失,相当于增加了有效半导体面积,有利于增加电池效率;(2)有可能**降低组件装配成本,因为全部外部接触均在单一表面上;(3)从建造结构的观点看来提供了增值,因为汇流条和焊线串接存在引起的视觉不适被组件背面所替代。
 
  由于光生载流子需要穿透整个高效太阳能多晶电池片被电池背表面的pn结所收集,故IBC高效太阳能多晶电池片对硅片本身的质量要求较高,需采用载流子寿命较高(纯度较高)的硅晶片材料,一般采用质量较高的n型FZ单晶硅作为衬底材料。正面采用氧化硅或氧化硅/氮化硅复合膜与n+层结合作为前表面电场,并形成绒面结构以抗反射。背面利用扩散法做成p+与n+交错间隔的交叉式接面,并通过在氧化硅上开金属接触孔,实现电极与发射区或基区的接触。交叉排布的发射区与基区电极几乎覆盖了背表面的大部分,十分有利于电流的引出。
 
  这种背电极的设计实现了高效太阳能多晶电池片正面“零遮挡”,增加了光的吸收和利用。但制作流程也十分复杂,工艺中的难点包括P+扩散、金属电极下重扩散(丝印光阻)以及激光烧结等。
 
  IBC高效太阳能多晶电池片的工艺流程大致如下:
 
  清洗→制绒→扩散(n+)→丝印刻蚀光阻→刻蚀P扩散区→扩散(p+)→减反射镀膜→热氧化→丝印电极→烧结→激光烧结
 
  (2)MWT高效太阳能多晶电池片
 
  如前所述,IBC高效太阳能多晶电池片是在电池背面的PN结收集载流子,除此之外,还有一类背接触电池是两面均可收集载流子,并可将电流由正面传导至背面。这类电池包括金属环绕穿通(MWT)电池和发射极环绕穿通(EWT)电池。金属环绕穿通(MWT)电池和发射极环绕穿通(EWT)电池技术,是基于激光表面和背面加工技术的新型太阳能电池技术。
 
  MWT技术是荷兰规模最大的太阳能电池生产商SollandSolar开发的用于其Sunweb高效太阳能多晶电池片的方法。即通过激光钻孔将电池正面收集的能量穿过电池再转移至电池背面。这种将电池能量汇集到电池背面的方法使每块电池的输出效率提高了2%,再经过处理并与一个太阳能电池组件相连接,所得的输出效率甚至能提高9%。
 
  在金属环绕穿通(MWT)器件中,较薄的金属接触“手指”被移到背面。通过激光钻微型通孔,将上表面与下表面接触连接起来,一般MMT每块硅片需要钻约200个通孔。
 
  MWT高效太阳能多晶电池片的制作流程大致为:
 
  激光打孔→清洗制绒→发射极扩散(包括孔内)→去PSG→沉积SiN→印刷正面电极→印刷背面电极→印刷背电场→烧结→激光隔绝→测试分选
 
  工艺中的难点包括:激光打孔和划槽隔绝的对准以及重复性、孔的的大小及形状的控制、激光对硅衬底造成的损伤及孔内金属的填充等。
 
  (3)EWT高效太阳能多晶电池片
 
  与MWT电池不同的是,在发射极环绕穿通(EWT)器件(如图3所示)中,传递功率的栅线也被转移至背面,使得上表面完全没有金属。与MWT电池类似,EWT电池也是通过在电池上钻微型通孔来连接上、下表面。相比较于MMT的每块硅片钻约200个通孔,EWT要求每块硅片上大约有2万个这种通孔,故激光钻孔成为唯一可满足商业规模速度的工艺。
 
  与IBC高效太阳能多晶电池片相似,EWT高效太阳能多晶电池片由于正面没有栅线和电极,使模组装配更为简便,同时由于避免了遮光损失且实现了双面收集载流子,使光生电流有了大幅度的提高。但相对光生电流而言,EWT电池填充因子和光生电压仍需进一步提高。
 
  用于工业化大面积(大于10×10cm2)硅片的EWT电池工艺多采用丝网印刷和激光技术,并对硅片质量具有一定的要求,这为EWT高效太阳能多晶电池片工艺技术提出了诸多要求,比如无损伤激光切割的实现、丝网印刷对电极形状的限制、孔内金属的填充深度以及发射极串联电阻的优化(发射极串联电阻受硅片厚度、发射极体电阻和孔洞直径的影响)等。
 
  2.2PERL高效太阳能多晶电池片
 
  PERL(PassivatedEmitter,RearLocally-Diffused)电池是钝化发射极、背面定域扩散太阳能电池的简称。设计是在PERC高效太阳能多晶电池片的基础上,在电池背面增加定域掺杂,即在电极与衬底的接触孔处进行定域掺杂。1990年,新南威尔士大学的J.Zhao在PERC电池结构和工艺基础上,在电池背面的接触孔处采用了BBr3定域扩散制备出PERL电池,结构如图4所示。这种电池背面接触孔处的薄层电阻可降到20Ω/□以下。孔间距离也由2mm缩短为250µm,**减少了横向电阻。如此,在0.5Ωcm和2Ωcm的p型硅片上制作的4cm2的PERL电池,效率可达23-24%,比采用同样硅片制作的PERC电池性能有较大提高。1993年该课题组又对PERL电池进行改善,使其效率提高到24%,1998年再次提高到24.4%,2001年达到24.7%,创造了世界最高记录。
 
  PERL电池具有高效率的原因在于[5]:(1)双面钝化:高效太阳能多晶电池片正面和背面都覆盖着热生长的SiO2层。发射极的表面钝化,一方面降低了表面态,另一方面减少了前表面的少子复合。而背面钝化的增加,使反向饱和电流密度Jo下降,同时光谱响应也得到较大的改善。(2)淡磷、浓磷分区扩散:在金属栅指电极下进行浓磷扩散,可以满足栅指电极接触电阻小的要求;而在栅指之间大面积的受光区域内,进行淡磷扩散,只要调整好淡磷扩散的表面浓度及结深,就能同时满足横向电阻功耗小,且短波响应好两方面的要求。(3)背面进行定域、小面积的硼扩散:如图4所示,背面电极采用了小面积的定域硼扩散p+区,显然,这将减少背电极的接触电阻,又给PERL电池增加了硼背面场,蒸铝的背电极本身又是一个很好的背反射器,从而进一步提高了电池的光电转换效率。(4)电池正面采用“倒金字塔”结构:这种“倒金字塔”结构受光效果优于绒面结构及微槽结构,具有很低的反射率,从而提高了电池的Jsc。
 
  目前这种电池技术是制造实验室高效太阳能电池的主要技术之一。但是,这种高效太阳能多晶电池片的制造过程相当烦琐,其中涉及到好几道光刻工艺,所以不是一个低成本的生产工艺,很难将且应用于大规模工业生产。
 
  PERL高效太阳能多晶电池片(单晶156电池片回收)的工艺流程为:
 
  硅片→正面倒金字塔结构的光刻法制作→背面局域硼扩散→栅指电极接触区的浓磷扩散→正面淡磷扩散→SiO2减反射层的氧化→光刻背电极接触孔→光刻正面栅指电极引线孔→正面蒸发钛钯薄栅指电极→背面蒸发铝电极→正面镀银加厚栅指电极→退火→测试
 
  2.3HIT高效太阳能多晶电池片
 
  1997年,日本三洋公司(Sanyo)推出了一种商业化的高效太阳能电池设计和制造方法,如图5所示[6]。该高效太阳能多晶电池片以n-型晶体硅材料为基底材料,并在两侧沉淀本征层i-和p-及n-型非晶硅薄膜,形成n-型硅和非晶硅异质结结构(HIT)太阳电池。非晶硅(a-Si:H)材料的带宽在1.7eV左右,远大于晶体硅1.1eV的带宽,因此此种HIT电池结构对于电池表面有很好的钝化作用。由于非晶硅几乎没有横向导电性能,因此必须在硅表面淀积一层大面积的透明导电膜(TCO)以有效地收集电池的电流。2003年时,这种电池的量产销率达到了19.5%。2009年5月,据宣称其单元转换效率已经达到23%。
 
  一般制造这种高效太阳能多晶电池片的工艺温度不超过300℃。如果温度高于400℃,氢原子很容易从非晶硅材料内逸出,从而降低非晶硅材料的质量,影响高效太阳能多晶电池片的转换效率。另外,由于TCO层和非晶硅发射层的本征吸收,还可能影响电池的蓝光响应。此外,由于涉及到复杂的真空系统,制造工艺也相对复杂。
 
  HIT高效太阳能多晶电池片制造的工艺流程是:
 
  清洗-制绒-正面沉积本征α-Si:H层和p型α-Si:H-背面沉积本征α-Si:H层和n型α-Si:H-TCO溅射沉积-丝网印刷Ag电极
 
  2.4激光刻槽埋栅高效太阳能多晶电池片
 
  由UNSW开发的激光刻槽埋栅极技术即利用激光技术在硅表面上刻槽,然后填人金属,以起到前表面电接触栅极的作用。图6显示了激光刻槽埋栅电池的结构[7]。
 
  发射结扩散后,用激光在前面刻出20µm宽、40µm深的沟槽,将槽清洗后进行浓磷扩散。然后在槽内镀出金属电极。电极位于电池内部,减少了栅线的遮蔽面积,使高效太阳能多晶电池片效率达到19.6%。与传统工艺的前表面镀敷金属层相比,激光刻槽埋栅高效太阳能多晶电池片所具有的优点是:栅电极遮光率小、电流密度高;埋栅电极深入到硅衬底内部可增加对基区光生电子的收集;浓磷扩散降低了浓磷区电阻功耗和栅指电极与衬底的接触电阻功耗,提高了电池的开路电压等几个方面。
 
  刻槽埋栅电池既保留了高效太阳能多晶电池片的特点,又省去了高效电池制作中一些复杂工艺,很适合利用低成本、大面积的硅片进行大规模生产。目前这一技术已转让给好几家世界上规模较大的太阳能电池生产厂家如英国的BPSOLAR和美国的SOLAREX等,
 
  激光刻槽埋栅高效太阳能多晶电池片的大致工艺流程为:
 
  清洗、腐蚀制绒面→清洗→淡磷扩散→热氧化钝化→开槽→槽区腐蚀→清洗→槽区浓磷扩散→背面蒸铝→烧制背场→化学镀埋栅→制作背面电极→蒸镀减反射膜→去边烧结→测试
 
  2.5OECO高效太阳能多晶电池片
 
  (1)标准OECO高效太阳能多晶电池片
 
  OECO(Obliquelyevaporatedcontact)高效太阳能多晶电池片池是德国ISFH研究所从九十年代就开始研制的一种新型单晶硅电池。与当前一些研究机构利用复杂技术制作的高效电池相比,具有结构设计新颖、制作简单、电极原料无损耗、成本低廉和适合大批量生产等优点。
 
  OECO高效太阳能多晶电池片结构基于金属-绝缘体-半导体(MIS)接触,利用表面沟槽形貌的遮掩在极薄的氧化隧道层上倾斜蒸镀低成本的Al作为电极,无需光刻、电极烧穿、电极下重掺杂和高温工艺即可形成高质量的接触,并且一次性可蒸镀大批量的电池电极。更为重要的是当这种电池制作面积从4cm2扩大到100cm2时,效率也只是从21.1%略微降到20%,仍然属于高效范围,所以这种结构的电池更适宜于工艺生产。
 
  OECO结构,高效太阳能多晶电池片的表面由许多排列整齐的方形沟槽组成(这种沟槽可由划槽工具的不同而有半圆形或三角形等形状),浅发射极n+位于硅片的上表面,在其上有一极薄的氧化隧道层,Al电极倾斜蒸镀于沟槽的侧面,然后利用PECVD蒸镀氮化硅作为钝化层和减反射膜
 
 
  OECO高效太阳能多晶电池片具有高效性的原因包括:几乎是无遮挡的表面。由于电极是蒸镀在沟槽的侧面,对光线的遮挡率极小,有利于提高短路电流;优异的MIS结构设计。电极与发射极不是直接接触,电池表面完全被钝化,所以载流子复合很小,可以获得很高的开路电压和填充因子以及高质量的蒸镀电极接触(丝网印刷电极方式严格限制了电池效率的进一步提高)。
 
  OECO高效太阳能多晶电池片(硅片是什么)同时也是一种成本很低的电池,这是因为:(1)采用特殊的磨具可以使开槽工艺成本大为降低;(2

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